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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | EEPROM |
| 技术: | EEPROM |
| 内存大小: | 16Kb (2K x 8) |
| 内存接口: | I²C |
| 时钟频率: | 400 kHz |
| 写周期时间 - 字，页: | 5ms |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | 1.7V ~ 5.5V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| 供应商设备包: | 8-SOP |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
CY7C4122KV13-933FCXCRochester Electronics |
QDR SRAM, 8MX18 PBGA361 |
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MT58L512L18FS-10ITRochester Electronics |
CACHE SRAM 512KX18 10NS PQFP100 |
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AT25320A-10TQ-2.7Rochester Electronics |
EEPROM, 4KX8, SERIAL, CMOS |
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CY62128VLL-55ZITRochester Electronics |
SRAM 1M-BIT 128K X 8 55NS |
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S25FS512SDSMFV013Cypress Semiconductor |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC |
|
S29GL032N90BAI030Cypress Semiconductor |
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48FBGA |
|
GS8673ET18BGK-675IGSI Technology |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 260BGA |
|
25LC080AT-H/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 8KBIT SPI 10MHZ 8SOIC |
|
DS1330WP-150+Rochester Electronics |
IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP |
|
S29GL01GS10DHSS23Cypress Semiconductor |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA |
|
70V3579S5BC8Renesas Electronics America |
IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA |
|
S25FL128SAGNFI011Cypress Semiconductor |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON |
|
71V3576S133PFGIRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP |
