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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | MXSMIO™ |
| 包裹: | Tube |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | FLASH |
| 技术: | FLASH - NOR |
| 内存大小: | 512Mb (64M x 8) |
| 内存接口: | SPI - Quad I/O, QPI, DTR |
| 时钟频率: | 166 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | 60µs, 750µs |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | 2.7V ~ 3.6V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| 供应商设备包: | 16-SOP |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
AT25SF161-SSHD-TAdesto Technologies |
IC FLASH 16MBIT SPI 104MHZ 8SOIC |
|
7143LA20JGRenesas Electronics America |
IC SRAM 32KBIT PARALLEL 68PLCC |
|
FEMC016GTTE7-T14-16Flexxon |
IC FLASH 128GBIT EMMC 100FBGA |
|
24LC32AX-E/STRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 32KBIT I2C 8TSSOP |
|
70V3569S6BF8Renesas Electronics America |
IC SRAM 576KBIT PAR 208CABGA |
|
AS7C34098A-20TCNAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2 |
|
BR24G128NUX-3TTRROHM Semiconductor |
IC EEPROM 128KBIT VSON008X2030 |
|
CY7C1361C-100BZXETCypress Semiconductor |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165FBGA |
|
CY7C1007B-15VCRochester Electronics |
STANDARD SRAM, 1MX1, 15NS |
|
CY62157DV30LL-55BVIRochester Electronics |
STANDARD SRAM, 512KX16, 55NS |
|
S29GL064S80FHV010Cypress Semiconductor |
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64FBGA |
|
CY14B104LA-ZS45XITCypress Semiconductor |
IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II |
|
04368CXLBC-30Rochester Electronics |
8MBIT (256K X 36) SRAM |
