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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | NVSRAM |
| 技术: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| 内存大小: | 1Mb (128K x 8) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 70ns |
| 访问时间: | 70 ns |
| 电压 - 电源: | 4.5V ~ 5.5V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 34-PowerCap™ Module |
| 供应商设备包: | 34-PowerCap Module |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
AS4C128M16D3LB-12BCNAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA |
|
70V639S10PRFG8Renesas Electronics America |
IC SRAM 2.25MBIT PAR 128TQFP |
|
STK14C88-NF35TRRochester Electronics |
IC NVSRAM 256KBIT PAR 32SOIC |
|
W987D2HBJX7E TRWinbond Electronics Corporation |
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA |
|
CY7C1472BV25-200AXCTCypress Semiconductor |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 100TQFP |
|
SN74172NRochester Electronics |
MULTI-PORT SRAM, 8X2, 50NS |
|
IS43LD32160A-25BLI-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 512MBIT PAR 134TFBGA |
|
CYDC128B08-55AXIRochester Electronics |
IC SRAM 128KBIT PARALLEL 100TQFP |
|
24LC014-E/PRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8DIP |
|
6116LA20SORochester Electronics |
SRAM 16K (2K X 8-BIT) |
|
CY7C0241-25AXCRochester Electronics |
IC SRAM 72KBIT PARALLEL 100TQFP |
|
71V67803S133PFGI8Renesas Electronics America |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP |
|
M5M5256DFP-70GI#BMRochester Electronics |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOP |
