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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | EEPROM |
| 技术: | EEPROM |
| 内存大小: | 2Kb (256 x 8) |
| 内存接口: | I²C |
| 时钟频率: | 1 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | 5ms |
| 访问时间: | 550 ns |
| 电压 - 电源: | 1.7V ~ 5.5V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| 供应商设备包: | 8-TSSOP |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
CY7C1041BN-15VXCRochester Electronics |
STANDARD SRAM, 256KX16, 15NS |
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CY62126EV30LL-45ZSXATCypress Semiconductor |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II |
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AS4C32M16MD1A-5BCNAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA |
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MX25V8035FZUIMacronix |
IC FLASH 8MBIT SPI 104MHZ 8USON |
|
MR1A16AYS35Everspin Technologies, Inc. |
IC RAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP2 |
|
IS43R16320E-6TLIISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II |
|
70V631S10PRFGRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 128TQFP |
|
71V016SA12BFG8Rochester Electronics |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48FBGA |
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SM662GED BDS TTC29Silicon Motion |
FERRI EMMC 128GB 3D TLC + EXT. T |
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AT25SF081B-SHB-TAdesto Technologies |
IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
|
CY62256LL-70ZXIRochester Electronics |
IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I |
|
FM24C03UFLEM8Rochester Electronics |
IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SO |
|
GS8342Q36BGD-357IGSI Technology |
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FPBGA |
