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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tube |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | SRAM |
| 技术: | SRAM - Asynchronous |
| 内存大小: | 4Mb (256K x 16) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 20ns |
| 访问时间: | 20 ns |
| 电压 - 电源: | 4.5V ~ 5.5V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
| 供应商设备包: | 44-SOJ |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
S26KS256SDGBHA030Cypress Semiconductor |
IC FLASH 256MBIT PARALLEL 24FBGA |
|
25LC256XT-E/STRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 256KBIT SPI 8TSSOP |
|
FM24C02UFLEM8Rochester Electronics |
IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SO |
|
CY7C1367C-166AXCTCypress Semiconductor |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP |
|
CY7C1370DV25-200AXCRochester Electronics |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP |
|
M95128-DRMF3TG/KSTMicroelectronics |
IC EEPROM 128KBIT SPI 20MHZ 8MLP |
|
R1LV0408DSP-5SI#B0Rochester Electronics |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32SOP |
|
AS4C32M8D1-5TINAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II |
|
93AA46A-I/STRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 1KBIT SPI 2MHZ 8TSSOP |
|
70V7319S200BCRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA |
|
CY7C1460KVE25-250AXCCypress Semiconductor |
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 100TQFP |
|
71124S15YGRochester Electronics |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ |
|
71V3577S80BGRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA |
