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CY7C1614KV18-300BZC

CY7C1614KV18-300BZC

QDR SRAM, 4MX36, 0.45NS, CMOS, P

CY7C1614KV18-300BZC

CY7C1614KV18-300BZC

图片仅供参考，请联系我们获取真实图片

零件编号 :

CY7C1614KV18-300BZC

制造商
Rochester Electronics
描述
QDR SRAM, 4MX36, 0.45NS, CMOS, P
目录
记忆
可用性
10203 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 06 - Nov 10 2024
PDF格式
CY7C1614KV18-300BZC PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Bulk
零件状态:Active
内存类型:Volatile
内存格式:SRAM
技术:SRAM - Synchronous, QDR II
内存大小:144Mb (4M x 36)
内存接口:Parallel
时钟频率:300 MHz
写周期时间 - 字，页:-
访问时间:-
电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V
工作温度:0°C ~ 70°C (TA)
安装类型:Surface Mount
包/箱:165-LBGA
供应商设备包:165-FBGA (15x17)
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