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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tube |
| 零件状态: | Obsolete |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | NVSRAM |
| 技术: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| 内存大小: | 16Mb (2M x 8) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 70ns |
| 访问时间: | 70 ns |
| 电压 - 电源: | 4.75V ~ 5.25V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 包/箱: | 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| 供应商设备包: | 36-EDIP |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TRMicron Technology |
IC FLASH 64GBIT PAR 48TSOP I |
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M29DW641F70N6EMicron Technology |
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP |
|
AT24C128N-10SC-2.5Roving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 128KBIT I2C 1MHZ 8SOIC |
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MT46V64M8BN-6 L:F TRMicron Technology |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA |
|
IDT71V2576S150PF8Renesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP |
|
IDT71V3558S100BQIRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA |
|
MT48V8M16LFF4-8 IT:GMicron Technology |
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54VFBGA |
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W29N01GVSIAAWinbond Electronics Corporation |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP |
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CYDD09S36V18-167BBXCCypress Semiconductor |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA |
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CY14B101L-SP45XITCypress Semiconductor |
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP |
|
IS42S32800D-6TL-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II |
|
IDT71V2559S80PF8Renesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP |
|
70V3389S5PRF8Renesas Electronics America |
IC SRAM 1.125MBIT PAR 128TQFP |
