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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tube |
| 零件状态: | Obsolete |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | NVSRAM |
| 技术: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| 内存大小: | 16Kb (2K x 8) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 200ns |
| 访问时间: | 200 ns |
| 电压 - 电源: | 4.5V ~ 5.5V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 包/箱: | 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| 供应商设备包: | 24-EDIP |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
AS4C64M16D3-12BCNTRAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA |
|
MT46V16M16TG-5B:F TRMicron Technology |
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP |
|
7038L20PFRenesas Electronics America |
IC SRAM 1.125MBIT PAR 100TQFP |
|
7028L20PFI8Renesas Electronics America |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP |
|
S34ML02G200TFI003SkyHigh Memory Limited |
IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I |
|
IDT71V3559SA80BQRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA |
|
AT25256-10PC-2.7Roving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 256KBIT SPI 3MHZ 8DIP |
|
23LCV512-E/STRoving Networks / Microchip Technology |
IC SRAM 512KBIT SPI/DL 8TSSOP |
|
W25Q16CLSSIG TRWinbond Electronics Corporation |
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
|
RC28F640P33TF60AMicron Technology |
IC FLASH 64MBIT PAR 64EASYBGA |
|
AT29BV010A-15JCRoving Networks / Microchip Technology |
IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32PLCC |
|
AT49LD3200B-13TCRoving Networks / Microchip Technology |
IC FLASH 32MBIT PAR 86TSOP II |
|
IS49NLS96400-33BLIISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA |
