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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | Automotive, AEC-Q100 |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Obsolete |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | DRAM |
| 技术: | SDRAM - DDR3L |
| 内存大小: | 2Gb (256M x 8) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | 800 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | 15ns |
| 访问时间: | 20 ns |
| 电压 - 电源: | 1.283V ~ 1.45V |
| 工作温度: | -40°C ~ 105°C (TC) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 78-VFBGA |
| 供应商设备包: | 78-FBGA (8x10.5) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
MT46V32M8P-6T IT:G TRMicron Technology |
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP |
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AT29LV512-12JCRoving Networks / Microchip Technology |
IC FLASH 512KBIT PARALLEL 32PLCC |
|
SST25WF040-40-5I-SAFRoving Networks / Microchip Technology |
IC FLASH 4MBIT SPI 40MHZ 8SOIC |
|
CY7C128A-15PCCypress Semiconductor |
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24DIP |
|
MT46V32M16FN-5B:CMicron Technology |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA |
|
MTFC8GLDDQ-4M ITMicron Technology |
IC FLASH 64GBIT MMC 100LBGA |
|
IDT71V3559SA85BQ8Renesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA |
|
IDT71V632S8PF8Renesas Electronics America |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 100TQFP |
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W25Q16BVZPIGWinbond Electronics Corporation |
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8WSON |
|
70V3569S4DRRenesas Electronics America |
IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP |
|
24LC08BT-I/MS16KVAORoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ 8MSOP |
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MT29C1G12MAAIYAMR-5 AIT TRMicron Technology |
IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA |
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CY7C09199V-6AXCCypress Semiconductor |
IC SRAM 1.152MBIT PAR 100TQFP |
