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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tape & Reel (TR) |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | EEPROM |
| 技术: | EEPROM |
| 内存大小: | 512Kb (64K x 8) |
| 内存接口: | I²C |
| 时钟频率: | 1 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | 5ms |
| 访问时间: | 550 ns |
| 电压 - 电源: | 1.8V ~ 5.5V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 供应商设备包: | 8-SOP |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
AT25640AY1-10YI-1.8Roving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 64KBIT SPI 20MHZ 8MAP |
|
MT29F256G08CMHGBJ4-3RES:G TRMicron Technology |
IC FLASH 256GBIT PAR 132VBGA |
|
NAND08GW3C2BN6EMicron Technology |
IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP |
|
74F189PCSanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
IC RAM 64B PARALLEL 16DIP |
|
AT27BV020-90VCRoving Networks / Microchip Technology |
IC EPROM 2MBIT PARALLEL 32VSOP |
|
IDT71V3557SA85BQGIRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA |
|
70V06S15PF8Renesas Electronics America |
IC SRAM 128KBIT PARALLEL 64TQFP |
|
W25Q128FVTIQWinbond Electronics Corporation |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8VSOP |
|
TE28F128P33B85AMicron Technology |
IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP |
|
AS4C128M16D3L-12BCNTRAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA |
|
AS4C512M8D3-12BINAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA |
|
IDT71V35761YSA166BQIRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA |
|
W25Q64JVZEJM TRWinbond Electronics Corporation |
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WSON |
