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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tube |
| 零件状态: | Obsolete |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | EEPROM |
| 技术: | EEPROM |
| 内存大小: | 8Kb (1K x 8) |
| 内存接口: | I²C |
| 时钟频率: | 400 kHz |
| 写周期时间 - 字，页: | 5ms |
| 访问时间: | 900 ns |
| 电压 - 电源: | 4.5V ~ 5.5V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 包/箱: | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 供应商设备包: | 8-PDIP |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
7132LA100PRenesas Electronics America |
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 48DIP |
|
70V24S15J8Renesas Electronics America |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 84PLCC |
|
IDT71V25761SA166BQIRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA |
|
W25Q32FVZPJFWinbond Electronics Corporation |
IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8WSON |
|
M58LR128KT85ZB5EMicron Technology |
IC FLASH 128MBIT PAR 56VFBGA |
|
70V9279L12PRF8Renesas Electronics America |
IC SRAM 512KBIT PARALLEL 128TQFP |
|
S29PL064J70BFI122Cypress Semiconductor |
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48FBGA |
|
DS1220AD-120Maxim Integrated |
IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP |
|
IDT71V65602S100BQRenesas Electronics America |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA |
|
IS42SM32160E-6BLIISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA |
|
NM93CS46NSanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
IC EEPROM 1KBIT SPI 1MHZ 8DIP |
|
W25Q128JVCJMWinbond Electronics Corporation |
IC FLSH 128MBIT SPI/QUAD 24TFBGA |
|
CY62256NLL-55ZRXETCypress Semiconductor |
IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I |
