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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tube |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | SRAM |
| 技术: | SRAM - Synchronous |
| 内存大小: | 256Kb (32K x 8) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 25ns |
| 访问时间: | 25 ns |
| 电压 - 电源: | 4.5V ~ 5.5V |
| 工作温度: | -55°C ~ 125°C (TA) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 包/箱: | 28-CDIP (0.300", 7.62mm) |
| 供应商设备包: | 28-CDIP |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
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MT47H256M4SH-25E:MMicron Technology |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA |
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MT51K256M32HF-70:BMicron Technology |
IC RAM 8GBIT PARALLEL 1.75GHZ |
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HTEE25608DHoneywell Aerospace |
IC EEPROM 256KBIT PAR 56CPGA |
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N24S64BC4DYT3GSanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
IC EEPROM 64K I2C 1MHZ 4WLCSP |
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MT53D1024M32D4DT-046 AAT:DMicron Technology |
IC DRAM 32GBIT 2133MHZ 200VFBGA |
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S25FS128SAGNFV100Cypress Semiconductor |
IC FLSH 128MBIT SPI 133MHZ 8WSON |
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5962-9161704MYARenesas Electronics America |
IC SRAM 128KBIT PAR 84FLATPAK |
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MT29F256G08AUCABH3-10Z:A TRMicron Technology |
IC FLASH 256GBIT PAR 100LBGA |
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MT42L32M32D1HE-18 IT:DMicron Technology |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA |
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MT53D1024M32D4DT-053 WT:DMicron Technology |
IC DRAM 32GBIT 1866MHZ 200VFBGA |
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5962-8687503YARenesas Electronics America |
IC SRAM 8KBIT PARALLEL 48LCC |
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CY7C1472BV33-167ZXIRochester Electronics |
SYNC RAM |
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STK12C68-L351Rochester Electronics |
NVSRAM 8KX8 |
