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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tube |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | SRAM |
| 技术: | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| 内存大小: | 32Kb (2K x 16) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 55ns |
| 访问时间: | 55 ns |
| 电压 - 电源: | 4.5V ~ 5.5V |
| 工作温度: | -55°C ~ 125°C (TA) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 包/箱: | 68-BPGA |
| 供应商设备包: | 68-PGA (29.46x29.46) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
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MT61K256M32JE-12:AMicron Technology |
IC RAM 8GBIT PARALLEL 180FBGA |
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MT53E2D1BFW-DC TRMicron Technology |
SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 |
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I2811BF-08STRochester Electronics |
10-40MHZ 3.3V 1X GP EMI |
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CG6527ATRochester Electronics |
SPECIAL |
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R1EX24128BTAS0A#U0Rochester Electronics |
EEPROM, 16KX8, SERIAL |
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7142SA35L48BRenesas Electronics America |
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 48LCC |
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SM671PEC-ADSTSilicon Motion |
FERRI-UFS BGA 153-B EMMC 3D TLC |
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MT40A1G16KNR-075:E TRMicron Technology |
IC DRAM 16GBIT PAR 96FBGA |
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5962-9161708MYARenesas Electronics America |
IC SRAM 128KBIT PAR 84FLATPAK |
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CG7153KGARochester Electronics |
SPECIAL |
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HN58X25128BTI#S0Rochester Electronics |
SPI 128K EEPROM (16K X 8-BIT) |
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CY7C1382S-167AXCKJRochester Electronics |
SYNC RAM |
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CAT24C32LIRochester Electronics |
IC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8DIP |
