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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | e•MMC™ |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | FLASH |
| 技术: | FLASH - NAND |
| 内存大小: | 512Gb (64G x 8) |
| 内存接口: | MMC |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | - |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 169-LFBGA |
| 供应商设备包: | 169-LFBGA (14x18) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
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7006S25GBRenesas Electronics America |
IC SRAM 128KBIT PARALLEL 68PGA |
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CAT93C56WGIRochester Electronics |
IC EEPROM 2KBIT SPI 2MHZ 8SOIC |
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70V07L25JGRenesas Electronics America |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 68PLCC |
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6116SA150TDBRenesas Electronics America |
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24CDIP |
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5962-8767117LARochester Electronics |
OT PLD, 12NS |
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7MBV4153SA50Rochester Electronics |
7MBV4153S - SRAM MODULE |
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MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B TRMicron Technology |
IC FLASH 512GBIT PAR 152LBGA |
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JANM38510/29103BYARochester Electronics |
16K X 1 ASYNCHRONOUS CMOS STATI |
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CG5994ATRochester Electronics |
SPECIAL |
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EM6HE08EW8D-10IHEtron Technology |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA |
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MT29F4G08ABBFAH4-AITES:FMicron Technology |
IC FLASH NAND 4G PAR 63VFBGA |
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R5C576A-CSP277PRochester Electronics |
PC CARD/FLASH MEMORY CARD |
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CG7295BMRochester Electronics |
SPECIAL |
