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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | * |
| 包裹: | Bulk |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | - |
| 内存格式: | - |
| 技术: | - |
| 内存大小: | - |
| 内存接口: | - |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | - |
| 工作温度: | - |
| 安装类型: | - |
| 包/箱: | - |
| 供应商设备包: | - |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
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5962-8874002LARenesas Electronics America |
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24CDIP |
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CAT24C05WGIRochester Electronics |
IC EEPROM 4KBIT I2C 400KHZ 8SOIC |
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MT40A2G4SA-075:E TRMicron Technology |
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA |
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MT40A1G8WE-083E AIT:BMicron Technology |
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA |
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R1EX24016ASAS0I#S1Rochester Electronics |
EEPROM, 2KX8, SERIAL |
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27C128-20/UCRochester Electronics |
128K (16K X 8) EPROM |
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MT41K512M16VRN-107 IT:P TRMicron Technology |
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA |
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SM662PXB-BDSTSilicon Motion |
FERRI-EMMC BGA 153-B EMMC 3D TLC |
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S34ML08G101TFI200ZRochester Electronics |
8 GB, 3 V, SLC NAND FLASH |
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7140LA35L48BRenesas Electronics America |
IC SRAM 8KBIT PARALLEL 48LCC |
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CY7C1021CV26-15ZSXEKJRochester Electronics |
ASYNC RAM |
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MT51J256M32HF-80:BMicron Technology |
IC RAM 8GBIT PAR 2GHZ 170FBGA |
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MTFC64GAJAEDQ-AITMicron Technology |
IC FLASH 512GBIT MMC 100LBGA |
