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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | * |
| 包裹: | Bulk |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | - |
| 内存格式: | - |
| 技术: | - |
| 内存大小: | - |
| 内存接口: | - |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | - |
| 工作温度: | - |
| 安装类型: | - |
| 包/箱: | - |
| 供应商设备包: | - |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
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MT29F8G01ADBFD12-IT:F TRMicron Technology |
IC FLASH 8GBIT SPI 83MHZ 24TPBGA |
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CAT34C02LGIRochester Electronics |
IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8DIP |
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MX25R6435FBDIL0Macronix |
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 22WLCSP |
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CY7C1041BN-15VXIRochester Electronics |
STANDARD SRAM, 256KX16, 15NS |
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5962-9166212MYARenesas Electronics America |
IC SRAM 64KBIT PAR 84FLATPAK |
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CAT93C56VGIRochester Electronics |
IC EEPROM 2KBIT SPI 2MHZ 8SOIC |
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KU82395DX-33Rochester Electronics |
CACHE SRAM, CMOS, PQFP196 |
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CG7617AARochester Electronics |
SPECIAL |
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CG7872AATRochester Electronics |
SPECIAL |
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MT40A1G8SA-062E AAT:E TRMicron Technology |
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA |
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MT29F4G08ABBFAH4-AITES:F TRMicron Technology |
IC FLASH NAND 4G PAR 63VFBGA |
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R1RW0416DSB-2SR#D0Rochester Electronics |
STANDARD SRAM, 256KX16 |
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GD25LQ32DQIGRGigaDevice |
IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8USON |
