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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | e•MMC™ |
| 包裹: | Tape & Reel (TR) |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | FLASH |
| 技术: | FLASH - NAND |
| 内存大小: | 64Gb (8G x 8) |
| 内存接口: | MMC |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | 2.7V ~ 3.6V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 100-TBGA |
| 供应商设备包: | 100-TBGA (14x18) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
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MT53D768M64D8NZ-046 WT:EMicron Technology |
IC DRAM 48GBIT 2133MHZ 376WFBGA |
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IS62C25616EL-45TLI-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II |
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AT93C46D-SP25DXRochester Electronics |
AT93C46 - EEPROM, 64X16, SERIAL |
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71V546X5S133PFGRochester Electronics |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP |
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PEF98036ETV1.3-GRochester Electronics |
FALC ONT SOC |
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MX63U2GE2GHAXMI00Macronix |
IC FLASH RAM 2GBIT PAR 533MHZ |
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7038L20PFGI8Renesas Electronics America |
IC SRAM 1.125MBIT PAR 100TQFP |
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27S21ADM/BRochester Electronics |
OTP ROM, 256X4, 60NS, TTL |
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TIG022TS-TL-ERochester Electronics |
LIGHT-CONTROLLING FLASH |
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S25FL512SAGBAEC13Cypress Semiconductor |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 24BGA |
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CG6821AMRochester Electronics |
SPECIAL |
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7006L70GBRenesas Electronics America |
IC SRAM 128KBIT PARALLEL 68PGA |
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MT53D1024M64D8PM-053 WT:DMicron Technology |
IC DRAM 64GBIT 1866MHZ |
