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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Bulk |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | EEPROM |
| 技术: | EEPROM |
| 内存大小: | 1Kb (64 x 16) |
| 内存接口: | SPI |
| 时钟频率: | 250 kHz |
| 写周期时间 - 字，页: | 15ms |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | 2.7V ~ 5.5V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| 供应商设备包: | 8-TSSOP |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
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CG6643AATRochester Electronics |
SPECIAL |
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MTFC16GAPALHT-AIT TRMicron Technology |
IC FLASH 128GBIT MMC |
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CAT24C08VP2GI-T3Rochester Electronics |
IC EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ 8TDFN |
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CAT24C32WGI-T3Rochester Electronics |
IC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8SOIC |
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70V24L15JGRenesas Electronics America |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 84PLCC |
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CG7580AARochester Electronics |
SEMICONDUCTOR OTHER |
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STK20C04-WF25IFlip Electronics |
IC NVSRAM 4KBIT PARALLEL 28DIP |
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EM6A9160TSC-4GEtron Technology |
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II |
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R1LV0816ASB-5SK#B0Rochester Electronics |
8M SRAM (512K X 16-BIT) |
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AS6C8016B-55BINTRAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 8MB PARALLEL 48FPBGA |
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MT53E2G32D4DT-046 WT ES:A TRMicron Technology |
LPDDR4 64G 2GX32 FBGA QDP |
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MT40A8G4CLU-075H:EMicron Technology |
IC FLASH 32GBIT PAR 78FBGA |
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MT53D512M64D4NZ-046 WT:EMicron Technology |
IC DRAM 32GBIT 2133MHZ 376WFBGA |
