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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Obsolete |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | DRAM |
| 技术: | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| 内存大小: | - |
| 内存接口: | - |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | - |
| 工作温度: | - |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 200-VFBGA |
| 供应商设备包: | 200-VFBGA (10x14.5) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
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S72XS256RE0AHBH10Cypress Semiconductor |
IC FLASH RAM 256MBIT PAR 133FBGA |
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AK93C45BHAsahi Kasei Microdevices / AKM Semiconductor |
IC EEPROM 1KBIT SPI 8MSOP |
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93LC46A-I/W15KRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 1KBIT SPI 2MHZ DIE |
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S30ML512P30TFI503Cypress Semiconductor |
IC FLASH MEMORY 48TSOP |
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MT41K2G4TRF-125:EMicron Technology |
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA |
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40060389Cypress Semiconductor |
IC FLASH NOR |
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MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A TRMicron Technology |
IC FLASH 512GBIT PAR 132LBGA |
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CG8588AATCypress Semiconductor |
IC MICROPOWER SRAM 48VFBGA |
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CG8223AATCypress Semiconductor |
IC SRAM 4MB FAST |
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MT29F4G16ABAEAH4:EMicron Technology |
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA |
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MT53B384M64D4EZ-062 WT:A TRMicron Technology |
IC DRAM 24GBIT 1600MHZ FBGA |
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24AA02-I/W16KRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ DIE |
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MT29E256G08CMCDBJ5-6:D TRMicron Technology |
IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA |
