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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | EEPROM |
| 技术: | EEPROM |
| 内存大小: | 16Kb (2K x 8) |
| 内存接口: | I²C |
| 时钟频率: | 400 kHz |
| 写周期时间 - 字，页: | 5ms |
| 访问时间: | 900 ns |
| 电压 - 电源: | 2.5V ~ 5.5V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | Die |
| 供应商设备包: | Die |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
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MT53B768M32D4TT-062 WT ES:BMicron Technology |
IC DRAM 24GBIT 1600MHZ FBGA |
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MT41K256M16HA-107:EMicron Technology |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA |
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70V24S55PFI8Renesas Electronics America |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP |
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S29GL064N90TFI040HCypress Semiconductor |
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP |
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S29CL032J0NDKH037Cypress Semiconductor |
IC FLASH 32MBIT PAR 66MHZ DIE |
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M58LT128KST7ZA6F TRMicron Technology |
IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64TBGA |
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DSQ3301-K02+TMaxim Integrated |
IC CONTACTOR 2SFN 6X6X0.88 |
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MT53B768M64D8NK-053 WT:DMicron Technology |
IC DRAM 48GBIT 1866MHZ 366WFBGA |
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MT29F2G08ABBFAH4:FMicron Technology |
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA |
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MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D TRMicron Technology |
IC DRAM 32GBIT 2133MHZ 200VFBGA |
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MT29F1HT08ELCBBG1-37:B TRMicron Technology |
IC FLASH 1.5T PARALLEL 272VBGA |
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70V9369L9PFI8Renesas Electronics America |
IC SRAM 288KBIT PARALLEL 100TQFP |
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MT53B384M64D4TP-062 XT:CMicron Technology |
IC DRAM 24GBIT 1600MHZ FBGA |
