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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | * |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Obsolete |
| 内存类型: | - |
| 内存格式: | - |
| 技术: | - |
| 内存大小: | - |
| 内存接口: | - |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | - |
| 工作温度: | - |
| 安装类型: | - |
| 包/箱: | - |
| 供应商设备包: | - |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
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CG8793AFTCypress Semiconductor |
IC WI-FI/BLUETOOTH WICED |
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25CS640T-E/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC MEMORY EEPROM 64MB SPI |
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MT29F64G08CBEDBL84C3WC1Micron Technology |
IC FLASH 64GBIT PARALLEL |
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MT29C1G12MAADYAML-5 ITMicron Technology |
IC FLASH RAM 1GBIT PAR 153VFBGA |
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N25Q128A13E1441F TRMicron Technology |
IC FLSH 128MBIT SPI 108MHZ 24BGA |
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70V27L25PFIRenesas Electronics America |
IC SRAM 512KBIT PARALLEL 100TQFP |
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24AA08H-I/WF16KRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ DIE |
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MT41J256M8HX-15E AIT:DMicron Technology |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA |
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MT29E512G08CKCBBH7-6:B TRMicron Technology |
IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA |
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70V27S35PFIRenesas Electronics America |
IC SRAM 512KBIT PARALLEL 100TQFP |
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MT41J256M16LY-091G:N TRMicron Technology |
IC DRAM 4GBIT PAR 1GHZ 96FBGA |
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PC28F256G18FF TRMicron Technology |
IC FLASH 256MBIT PAR 64EASYBGA |
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LH28F320S5HNS-L90Sharp Microelectronics |
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 56SSOP |
