类型 | 描述 |
---|---|
系列: | - |
包裹: | Tray |
零件状态: | Active |
内存类型: | Non-Volatile |
内存格式: | EEPROM |
技术: | EEPROM |
内存大小: | 16Kb (2K x 8) |
内存接口: | I²C |
时钟频率: | 400 kHz |
写周期时间 - 字,页: | 5ms |
访问时间: | 900 ns |
电压 - 电源: | 2.5V ~ 5.5V |
工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
安装类型: | Surface Mount |
包/箱: | Die |
供应商设备包: | Die |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间:周一至周五,9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
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MT29F256G08AKCBBH7-6:B TRMicron Technology |
IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA |
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MT29F2T08CQHBBG2-3RES:B TRMicron Technology |
IC FLASH 2TB PARALLEL 272TBGA |
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CG8203AACypress Semiconductor |
IC SRAM |
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MT58K256M321JA-100:AMicron Technology |
IC DRAM 8GBIT 5GHZ 190FBGA |
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CG8152AACypress Semiconductor |
IC SRAM ASYNC |
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MT42L256M64D4EV-25 WT:AMicron Technology |
IC DRAM 16GBIT PARALLEL 253FBGA |
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MT53D1536M32D6BE-053 WT:DMicron Technology |
IC DRAM 48GBIT 1866MHZ |
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MT29VZZZBC9FQOPR-053 W.G9GMicron Technology |
ALL IN ONE MCP 1072G |
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M58LR256KT70ZQ5EMicron Technology |
IC FLASH 256MBIT PAR 88TFBGA |
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MT53D512M64D8HR-053 WT ES:BMicron Technology |
IC DRAM 32GBIT 1866MHZ 366WFBGA |
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MTFC4GMWDM-3M AIT A TRMicron Technology |
IC FLASH 32GBIT MMC 153TFBGA |
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7024S15PFIRenesas Electronics America |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP |
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S99JL032J0090Cypress Semiconductor |
IC FLASH |