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SI8275DBD-IS1R

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4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR

SI8275DBD-IS1R

SI8275DBD-IS1R

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零件编号 :

SI8275DBD-IS1R

制造商
Silicon Labs
描述
4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR
目录
隔离器 - 栅极驱动器
可用性
088908 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Feb 13 - Feb 17 2025
类型 描述
系列:Automotive, AEC-Q100
包裹:Tape & Reel (TR)
零件状态:Active
技术:Capacitive Coupling
通道数:2
电压 - 隔离:2500Vrms
共模瞬态抗扰度 (min):200kV/µs
传播延迟 tplh / tphl (max):75ns, 75ns
脉宽失真（最大值）:8ns
上升/下降时间（典型值）:10.5ns, 13.3ns
电流 - 输出高，低:1.8A, 4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向 (vf) (典型值):-
电流 - 直流正向（如果）（最大值）:-
电压 - 输出电源:4.2V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:Surface Mount
包/箱:16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备包:16-SOIC
审批机构:CQC, CSA, UL, VDE
SI8275DBD-IS1R 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 SI8275DBD-IS1R 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为SI8275DBD-IS1R 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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