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TJ8S06M3L,LXHQ

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零件编号 :: TJ8S06M3L,LXHQ

制造商: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

描述: MOSFET P-CH 60V 8A DPAK

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 849384 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 25 - Nov 29 2024

类型	描述
系列:	U-MOSVI
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	P-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	60 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	8A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	104mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	3V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	19 nC @ 10 V
vgs (最大值):	+10V, -20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	890 pF @ 10 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	27W (Tc)
工作温度:	175°C
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	DPAK+
包/箱:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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