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RM12N650T2

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零件编号 :: RM12N650T2

制造商: Rectron USA

描述: MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220-3

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 413341 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 28 - Dec 02 2024

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tube
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	650 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	11.5A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	10V
rds on (max) @ id, vgs:	360mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	4V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (最大值):	±30V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	870 pF @ 50 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	101W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商设备包:	TO-220-3
包/箱:	TO-220-3

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