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SQUN702E-T1_GE3

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零件编号 :: SQUN702E-T1_GE3

制造商: Vishay / Siliconix

描述: MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列

可用性: 10150 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 26 - Nov 30 2024

类型	描述
系列:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	N and P-Channel, Common Drain
场效应管特征:	Standard
漏源电压 (vdss):	40V, 200V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	30A (Tc), 20A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:	9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 60mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	23nC, 14nC, 30.2nC @ 10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	1474pF, 1450pF, 1302pF @ 20V, 100V
功率 - 最大值:	48W (Tc), 60W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount, Wettable Flank
包/箱:	Die
供应商设备包:	Die

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