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TSM250NB06LDCR RLG

TSM250NB06LDCR RLG

DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V,

TSM250NB06LDCR RLG

TSM250NB06LDCR RLG

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零件编号 :

TSM250NB06LDCR RLG

制造商
TSC (Taiwan Semiconductor)
描述
DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V,
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
可用性
12500 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Feb 01 - Feb 05 2025
类型 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:2 N-Channel (Dual)
场效应管特征:Standard
漏源电压 (vdss):60V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:6A (Ta), 29A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:25mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:2.5V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:23nC @ 10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:1314pF @ 30V
功率 - 最大值:2W (Ta), 48W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
包/箱:8-PowerTDFN
供应商设备包:8-PDFN (5x6)
TSM250NB06LDCR RLG 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 TSM250NB06LDCR RLG 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为TSM250NB06LDCR RLG 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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