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CSD87333Q3DT

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零件编号 :: CSD87333Q3DT

制造商: Texas Instruments

描述: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8VSON

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列

可用性: 10880 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Feb 17 - Feb 21 2025

类型	描述
系列:	NexFET™
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
场效应管特征:	Logic Level Gate, 5V Drive
漏源电压 (vdss):	30V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	15A
rds on (max) @ id, vgs:	14.3mOhm @ 4A, 8V
vgs(th) (最大值) @ id:	1.2V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	4.6nC @ 4.5V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	662pF @ 15V
功率 - 最大值:	6W
工作温度:	125°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	8-PowerTDFN
供应商设备包:	8-VSON (3.3x3.3)

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