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VT6J1T2CR

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零件编号 :: VT6J1T2CR

制造商: ROHM Semiconductor

描述: MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列

可用性: 15373 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 23 - Nov 27 2024

PDF格式: VT6J1T2CR PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	2 P-Channel (Dual)
场效应管特征:	Logic Level Gate, 1.2V Drive
漏源电压 (vdss):	20V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	100mA
rds on (max) @ id, vgs:	3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:	1V @ 100µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	-
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	15pF @ 10V
功率 - 最大值:	120mW
工作温度:	150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	6-SMD, Flat Leads
供应商设备包:	VMT6

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