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FDM3300NZ

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N-CHANNEL POWER MOSFET

FDM3300NZ

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零件编号 :

FDM3300NZ

制造商
Rochester Electronics
描述
N-CHANNEL POWER MOSFET
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
可用性
86732 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 27 - Dec 01 2024
PDF格式
FDM3300NZ PDF
类型 描述
系列:PowerTrench®
包裹:Bulk
零件状态:Obsolete
场效应管类型:2 N-Channel (Dual)
场效应管特征:Logic Level Gate
漏源电压 (vdss):20V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:10A
rds on (max) @ id, vgs:23mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:1.5V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:17nC @ 4.5V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:1610pF @ 10V
功率 - 最大值:900mW
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
包/箱:8-PowerVDFN
供应商设备包:8-MLP (3x3)
FDM3300NZ 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 FDM3300NZ 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为FDM3300NZ 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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