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IPG15N06S3L-45

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零件编号 :: IPG15N06S3L-45

制造商: Rochester Electronics

描述: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列

可用性: 19782 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 11 - Nov 15 2025

PDF格式: IPG15N06S3L-45 PDF

类型	描述
系列:	OptiMOS™
包裹:	Bulk
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	2 N-Channel (Dual)
场效应管特征:	Logic Level Gate
漏源电压 (vdss):	55V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	15A
rds on (max) @ id, vgs:	45mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.2V @ 10µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	20nC @ 10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	1420pF @ 25V
功率 - 最大值:	21W
工作温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	8-PowerVDFN
供应商设备包:	PG-TDSON-8-4

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