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SI6968BEDQ-T1-GE3

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零件编号 :: SI6968BEDQ-T1-GE3

制造商: Vishay / Siliconix

描述: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列

可用性: 33593 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 24 - Nov 28 2024

PDF格式: SI6968BEDQ-T1-GE3 PDF

类型	描述
系列:	TrenchFET®
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	2 N-Channel (Dual) Common Drain
场效应管特征:	Logic Level Gate
漏源电压 (vdss):	20V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	5.2A
rds on (max) @ id, vgs:	22mOhm @ 6.5A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:	1.6V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	18nC @ 4.5V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	-
功率 - 最大值:	1W
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供应商设备包:	8-TSSOP

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