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TPC8211(TE12L,Q,M)

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零件编号 :: TPC8211(TE12L,Q,M)

制造商: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

描述: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列

可用性: 467746 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 16 - Nov 20 2024

PDF格式: TPC8211(TE12L,Q,M) PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tape & Reel (TR)
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	2 N-Channel (Dual)
场效应管特征:	Logic Level Gate
漏源电压 (vdss):	30V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	5.5A
rds on (max) @ id, vgs:	36mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.5V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	25nC @ 10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	1250pF @ 10V
功率 - 最大值:	450mW
工作温度:	150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
供应商设备包:	8-SOP (5.5x6.0)

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