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SIZ998BDT-T1-GE3

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DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

SIZ998BDT-T1-GE3

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图片仅供参考，请联系我们获取真实图片

零件编号 :

SIZ998BDT-T1-GE3

制造商
Vishay / Siliconix
描述
DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
可用性
874287 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Dec 01 - Dec 05 2024
类型 描述
系列:TrenchFET® Gen IV
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:2 N-Channel (Dual), Schottky
场效应管特征:Standard
漏源电压 (vdss):30V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:2.2V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:790pF @ 15V, 2130pF @ 15V
功率 - 最大值:3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
包/箱:8-PowerPair™
供应商设备包:8-PowerPair™
SIZ998BDT-T1-GE3 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 SIZ998BDT-T1-GE3 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为SIZ998BDT-T1-GE3 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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