NVMFD6H846NLT1G

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零件编号 :: NVMFD6H846NLT1G

制造商: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

描述: MOSFET - POWER, DUAL N-CHANNEL,

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列

可用性: 514351 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Dec 01 - Dec 05 2024

类型	描述
系列:	Automotive, AEC-Q101
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	2 N-Channel (Dual)
场效应管特征:	Standard
漏源电压 (vdss):	80V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	9.4A (Ta), 31A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:	15mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2V @ 21µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	17nC @ 10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	900pF @ 40V
功率 - 最大值:	3.2W (Ta), 34W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	8-PowerTDFN
供应商设备包:	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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