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FDC6301N_G

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MOSFET 2 N-CH 25V SUPERSOT6

FDC6301N_G

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零件编号 :

FDC6301N_G

制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
MOSFET 2 N-CH 25V SUPERSOT6
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
可用性
677567 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 15 - Nov 19 2024
类型 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)
零件状态:Obsolete
场效应管类型:2 N-Channel (Dual)
场效应管特征:Logic Level Gate
漏源电压 (vdss):25V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:220mA
rds on (max) @ id, vgs:4Ohm @ 400mA, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:1.5V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:0.7nC @ 4.5V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:9.5pF @ 10V
功率 - 最大值:700mW
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
包/箱:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商设备包:SuperSOT™-6
FDC6301N_G 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 FDC6301N_G 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为FDC6301N_G 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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