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APTC60AM70T1G

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MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1

APTC60AM70T1G

APTC60AM70T1G

图片仅供参考,请联系我们获取真实图片

零件编号 :

APTC60AM70T1G

制造商
Microsemi
描述
MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
可用性
907790 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 23 - Nov 27 2024
PDF格式
APTC60AM70T1G PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Bulk
零件状态:Obsolete
场效应管类型:2 N-Channel (Half Bridge)
场效应管特征:Standard
漏源电压 (vdss):600V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:39A
rds on (max) @ id, vgs:70mOhm @ 39A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:3.9V @ 2.7mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:259nC @ 10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:7000pF @ 25V
功率 - 最大值:250W
工作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Chassis Mount
包/箱:SP1
供应商设备包:SP1
APTC60AM70T1G 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 APTC60AM70T1G 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为APTC60AM70T1G 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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