APTM120VDA57T3G

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零件编号 :: APTM120VDA57T3G

制造商: Microsemi

描述: MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列

可用性: 627862 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 03 - Nov 07 2024

类型	描述
系列:	POWER MOS 7®
包裹:	Bulk
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	2 N-Channel (Dual)
场效应管特征:	Standard
漏源电压 (vdss):	1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	17A
rds on (max) @ id, vgs:	684mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	5V @ 2.5mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	187nC @ 10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	5155pF @ 25V
功率 - 最大值:	390W
工作温度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Chassis Mount
包/箱:	SP3
供应商设备包:	SP3

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