类型 | 描述 |
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系列: | - |
包裹: | Tray |
零件状态: | Obsolete |
晶体管型: | LDMOS |
频率: | 871.5MHz ~ 891.5MHz |
获得: | 21dB |
电压测试: | 28 V |
额定电流(安培): | 32A |
噪声系数: | - |
电流测试: | 950 mA |
功率输出: | 26.5W |
额定电压: | 65 V |
包/箱: | SOT-502B |
供应商设备包: | SOT502B |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间:周一至周五,9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
MRF5S9150HR3NXP Semiconductors |
FET RF 68V 880MHZ NI-780 |
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BF545A,215NXP Semiconductors |
JFET N-CH 30V 6.5MA SOT23 |
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BF909,235NXP Semiconductors |
MOSFET N-CH 7V 40MA SOT143 |
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BLF6G10LS-160RN:11Ampleon |
RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B |
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MRF8P26080HSR5NXP Semiconductors |
FET RF 2CH 65V 2.62GHZ NI780S-4 |
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MRF6P24190HR5NXP Semiconductors |
FET RF 68V 2.39GHZ NI-1230 |
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BLF6G20LS-75,112Ampleon |
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B |
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PTFA261301E V1IR (Infineon Technologies) |
IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2 |
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BLF6G27-10G,112Ampleon |
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C |
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BLF8G20LS-200V,115Ampleon |
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1120B |
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BLF7G22L-200,112Ampleon |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A |
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PD84008S-ESTMicroelectronics |
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
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MRF7S15100HR5NXP Semiconductors |
FET RF 65V 1.51GHZ NI780 |