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IRF1010NSTRLPBF

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零件编号 :

IRF1010NSTRLPBF

制造商
IR (Infineon Technologies)
描述
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
14391 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 26 - Nov 30 2024
PDF格式
IRF1010NSTRLPBF PDF
类型 描述
系列:HEXFET®
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):55 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:85A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):10V
rds on (max) @ id, vgs:11mOhm @ 43A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:4V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:120 nC @ 10 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:3210 pF @ 25 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):180W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:D2PAK
包/箱:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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