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零件编号 :

SIHP12N50C-E3

制造商
Vishay / Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
10356 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 25 - Nov 29 2024
PDF格式
SIHP12N50C-E3 PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Tube
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):500 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:12A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:10V
rds on (max) @ id, vgs:555mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:5V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:48 nC @ 10 V
vgs (最大值):±30V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:1375 pF @ 25 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:208W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
供应商设备包:-
包/箱:TO-220-3
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