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FDD6512A

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MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A DPAK

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零件编号 :

FDD6512A

制造商
Rochester Electronics
描述
MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A DPAK
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
666130 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Dec 26 - Dec 30 2024
PDF格式
FDD6512A PDF
类型 描述
系列:PowerTrench®
包裹:Bulk
零件状态:Obsolete
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):20 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:10.7A (Ta), 36A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:21mOhm @ 10.7A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:1.5V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:19 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):±12V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:1.082 pF @ 10 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):3.8W (Ta), 43W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:D-PAK (TO-252)
包/箱:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FDD6512A 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 FDD6512A 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为FDD6512A 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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