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G3R350MT12J

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零件编号 :: G3R350MT12J

制造商: GeneSiC Semiconductor

描述: SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 10664 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 23 - Nov 27 2024

类型	描述
系列:	G3R™
包裹:	Tube
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	SiCFET (Silicon Carbide)
漏源电压 (vdss):	1200 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	11A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	15V
rds on (max) @ id, vgs:	420mOhm @ 4A, 15V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.69V @ 2mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	12 nC @ 15 V
vgs (最大值):	±15V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	334 pF @ 800 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	75W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	TO-263-7
包/箱:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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