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FDZ209N

FDZ209N

MOSFET N-CH 60V 4A 12BGA

0600-00028

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FDZ209N

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零件编号 :

FDZ209N

制造商
Rochester Electronics
描述
MOSFET N-CH 60V 4A 12BGA
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
20644 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 23 - Nov 27 2024
PDF格式
FDZ209N PDF
类型 描述
系列:PowerTrench®
包裹:Bulk
零件状态:Obsolete
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):60 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:4A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):5V
rds on (max) @ id, vgs:80mOhm @ 4A, 5V
vgs(th) (最大值) @ id:3V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:9 nC @ 5 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:657 pF @ 30 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):2W (Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:12-BGA (2x2.5)
包/箱:12-WFBGA
FDZ209N 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 FDZ209N 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为FDZ209N 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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