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XPH6R30ANB,L1XHQ

XPH6R30ANB,L1XHQ

MOSFET N-CH 100V 45A 8SOP

3749/40 100

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CBL RIBN 40COND 0.025 GRAY 100'

MC10136L

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COUNTER SINGLE 4-BIT

XPH6R30ANB,L1XHQ

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零件编号 :

XPH6R30ANB,L1XHQ

制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述
MOSFET N-CH 100V 45A 8SOP
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
19881 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 27 - Dec 01 2024
类型 描述
系列:U-MOSVIII-H
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):100 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:45A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:6.3mOhm @ 22.5A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:3.5V @ 500µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:52 nC @ 10 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:3240 pF @ 10 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:960mW (Ta), 132W (Tc)
工作温度:175°C
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:8-SOP Advance (5x5)
包/箱:8-SOIC (0.197", 5.00mm Width)
XPH6R30ANB,L1XHQ 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 XPH6R30ANB,L1XHQ 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为XPH6R30ANB,L1XHQ 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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