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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | TrenchP™ |
| 包裹: | Tube |
| 零件状态: | Active |
| 场效应管类型: | P-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (vdss): | 100 V |
| 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c: | 195A (Tc) |
| 驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）: | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 8mOhm @ 105A, 10V |
| vgs(th) (最大值) @ id: | 4.5V @ 250µA |
| 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs: | 740 nC @ 10 V |
| vgs (最大值): | ±15V |
| 输入电容 (ciss) (max) @ vds: | 69500 pF @ 25 V |
| 场效应管特征: | - |
| 功耗（最大值）: | 595W (Tc) |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 供应商设备包: | ISOPLUS247™ |
| 包/箱: | TO-247-3 |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
IXFT26N100XHVWickmann / Littelfuse |
MOSFET N-CH 1000V 26A TO268HV |
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IRFB5620PBFIR (Infineon Technologies) |
MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB |
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FQP3N80CSanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
MOSFET N-CH 800V 3A TO220-3 |
|
STB18N60M2STMicroelectronics |
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK |
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IRF2907ZSPBFRochester Electronics |
MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK |
|
SIA469DJ-T1-GE3Vishay / Siliconix |
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6 |
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SI7326DN-T1-E3Vishay / Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8 |
|
IRFP244PBFVishay / Siliconix |
MOSFET N-CH 250V 15A TO247-3 |
|
STI57N65M5STMicroelectronics |
MOSFET N-CH 650V 42A I2PAK |
|
IRFI9634GPBFVishay / Siliconix |
MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220-3 |
|
SI7430DP-T1-E3Vishay / Siliconix |
MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8 |
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BSS223PWH6327XTSA1IR (Infineon Technologies) |
MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3 |
|
PMV50EPEARNexperia |
MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB |
