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BSS126H6327XTSA2

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零件编号 :: BSS126H6327XTSA2

制造商: IR (Infineon Technologies)

描述: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 21097 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 13 - Nov 17 2024

PDF格式: BSS126H6327XTSA2 PDF

类型	描述
系列:	SIPMOS®
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	600 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	21mA (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	0V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	500Ohm @ 16mA, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	1.6V @ 8µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	2.1 nC @ 5 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	28 pF @ 25 V
场效应管特征:	Depletion Mode
功耗（最大值）:	500mW (Ta)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	SOT-23-3
包/箱:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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