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LND150N3-G-P002

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零件编号 :: LND150N3-G-P002

制造商: Roving Networks / Microchip Technology

描述: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 176417 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 25 - Nov 29 2024

PDF格式: LND150N3-G-P002 PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tape & Reel (TR)
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	500 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	30mA (Tj)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	0V
rds on (max) @ id, vgs:	1000Ohm @ 500µA, 0V
vgs(th) (最大值) @ id:	-
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	10 pF @ 25 V
场效应管特征:	Depletion Mode
功耗（最大值）:	740mW (Ta)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商设备包:	TO-92-3
包/箱:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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