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FQD1N60TM

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零件编号 :: FQD1N60TM

制造商: Rochester Electronics

描述: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 19980 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 25 - Nov 29 2024

PDF格式: FQD1N60TM PDF

类型	描述
系列:	QFET®
包裹:	Bulk
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	600 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	1A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	10V
rds on (max) @ id, vgs:	11.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	5V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	6 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±30V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	150 pF @ 25 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	2.5W (Ta), 30W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	D-Pak
包/箱:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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