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SCTWA50N120

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零件编号 :: SCTWA50N120

制造商: STMicroelectronics

描述: SICFET N-CH 1200V 65A HIP247

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 11240 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Jan 16 - Jan 20 2025

PDF格式: SCTWA50N120 PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tube
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	SiCFET (Silicon Carbide)
漏源电压 (vdss):	1200 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	65A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	20V
rds on (max) @ id, vgs:	69mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (最大值) @ id:	3V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	122 nC @ 20 V
vgs (最大值):	+25V, -10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	1900 pF @ 400 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	318W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 200°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商设备包:	HiP247™
包/箱:	TO-247-3

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